TSM3443CX6 RFG
Výrobca Číslo produktu:

TSM3443CX6 RFG

Product Overview

Výrobca:

Taiwan Semiconductor Corporation

Číslo dielu:

TSM3443CX6 RFG-DG

Popis:

MOSFET P-CHANNEL 20V 4.7A SOT26
Podrobný popis:
P-Channel 20 V 4.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-26

Inventár:

9989 Ks Nové Originálne Na Sklade
12892679
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

TSM3443CX6 RFG Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Taiwan Semiconductor
Balenie
Tape & Reel (TR)
Seriál
-
Stav produktu
Active
Typ FET
P-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
20 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
4.7A (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
2.5V, 4.5V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
60mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs(th) (Max.) @ Id
1.4V @ 250µA
Nabíjanie brány (Qg) (max.) @ Vgs
9 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
640 pF @ 10 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
2W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
SOT-26
Balenie / puzdro
SOT-23-6
Základné číslo produktu
TSM3443

Technické údaje a dokumenty

Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
3,000
Iné mená
TSM3443CX6 RFGTR-DG
TSM3443CX6 RFGDKR
TSM3443CX6 RFGCT-DG
TSM3443CX6RFGCT
TSM3443CX6 RFGTR
TSM3443CX6 RFGCT
TSM3443CX6RFGTR
TSM3443CX6 RFGDKR-DG
TSM3443CX6RFGDKR

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
ROHS3 Compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
3 (168 Hours)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
taiwan-semiconductor

TSM950N10CW RPG

MOSFET N-CH 100V 6.5A SOT223

taiwan-semiconductor

TSM680P06CZ C0G

MOSFET P-CH 60V 18A TO220

taiwan-semiconductor

TSM300NB06CR RLG

MOSFET N-CH 60V 6A/27A 8PDFN

vishay-siliconix

IRF710S

MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK